Google translate

http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/selan_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/BOOT_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/psin_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/KX-TDE200_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/tft_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/M1_manualgk-is-182gk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/sh_mb_lgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/shima_sesgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/GaleryStoll.mag_yarn2lgk-is-182.jpglink
«
»
Loading…

    Наши координаты:

+380 (50) 549 47 19
+380 (372) 51 75 76

пр. Независимости, 74
г. Черновцы,
Украина
58005

 

SMD компоненты. Код N ... PRs (корпус SOT23, TO-23)

 SMD компоненты. Код N ... PRs (корпус SOT23, TO-23)

 

 

Код

Типономинал

Фирма

Функ

ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

N

BAV70

VISH

2xDI

VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<4.0пФ; tRR<6нc

A1

A2

K1

K2

NO

TN0200T

SIL

nMOS

VDS=20B;ID=730MA;PD=350мВт; IDSS=8...20MA; gF=4мСм;

G

S

D

N1

TN0201T

SIL

nMOS

VDS=20B;ID=390MA;PD=350мВт;gF=45MOM;RDS(ON)=0.75OM

G

S

D

N12

TMPT2221

ALLEG

NPN

VCB0=60B;ICB0<10нA;h21=40…120;VCE(sat)<0.4B fT>250МГц

B

E

C

N3

KDV152S

KEC

BD

VR=15B;IR=50 нA;C2V=0.25пФ;C8V=26пФ;rS<0.3OM

A

nc

K

N54

TMPT2221A

ALLEG

NPN

VCB0=75B;ICB0<10нA;h21=40…120;VCE(sat)<0.3B fT>250МГц

B

E

C

NA

FMMTA05R

ZETEX

NPN

VCB0=60B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>50; fT>100МГц

B

E

C

NB

BF599

SIEM

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21>38; fT=550МГц

B

E

C

NB

FMMTA55R

ZETEX

PNP

VCB0=-60B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>50; fT>100МГц

B

E

C

NC

BF840

CDIL

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=65...220; fT>380МГц

B

E

C

NC

BF840

SIEM

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=65...220; fT=380МГц

B

E

C

NCp

BF840

PHIL

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=250мВт;Ib=4.5...15мкА; fT=380МГц

B

E

C

ND

BF841

CDIL

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=35...125; fT>380МГц

B

E

C

ND

BF841

SIEM

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=280мВт; h21=35...125; fT=380МГц

B

E

C

NDp

BF841

PHIL

NPN

VCB0=40B;IC=25MA; PD=250мВт;Ib=8...28мкА; fT=380МГц

B

E

C

NS

TN0200TS

SIL

nMOS

VDS=20B;ID=1200MA;PD=1000мВт;gF=2200MOM;RDS(ON)=0.4OM

G

S

D

P

BAW56

VISH

2xDI

VR<70B; IF<300MA;VF(IF =150MA)<1.25B; IR<5.0мкА; CD<5.0пФ; tRR<6нc

K1

K2

A1

A2

P0

TP0101T

SIL

nMOS

VDS=-20B;ID=600MA;PD=350мВт;gF=1300MOM;RDS(ON)=0.65OM

G

S

D

p01

PDTA143ET

PHIL

D-PNP

VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>20;

B

E

C

p02

PDTC143ET

PHIL

D- NPN

VCB0=50B;IC=100MA; PD=250мВт; h21>20;

B

E

C

p03

PDTA114ET

PHIL

D-PNP

VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=250мВт; h21>30;

B

E

C

p04

PDTA143ET

PHIL

D- NPN

VCB0=50B;IC=50MA; PD=250мВт; h21>30;

B

E

C

p05

PDTA124ET

PHIL

D-PNP

VCB0=-50B;IC=-30MA; PD=250мВт; h21>56;

B

E

C

p06

PDTC124ET

PHIL

D- NPN

VCB0=50B;IC=30MA; PD=250мВт; h21>56;

B

E

C

p07

PDTA144ET

PHIL

D-PNP

VCB0=-50B;IC=-100MA; PD=250мВт; h21>68;

B

E

C

p08

PDTC144ET

PHIL

D-NPN

VCB0=50B;IC=30MA; PD=250мВт; h21>68;

B

E

C

p09

PDTB144ET

PHIL

PNP

VCB0=50B;IC=30MA; PD=250мВт; h21>68;

D

S

G

P1

SST201

SIL

nFET

VDS=40B; PD=350мВт;IDSS=0.2...1MA; gF=0.5MCM

B

E

C

p10

PDTD114ET

PHIL

D-NPN

VCB0=50B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>56;

B

E

C

p1A

PMBT3904

PHIL

NPN

VCB0=60B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>300МГц

B

E

C

p1B

PMBT2222

PHIL

NPN

VCB0=60B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц

B

E

C

p1D

PMBTA42

PHIL

NPN

VCB0=300B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц

B

E

C

p1E

PMBTA43

PHIL

NPN

VCB0=200B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц

B

E

C

p1F

PMBT5550

PHIL

NPN

VCB0=160B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=60...250; fT=100...300

B

E

C

p1G

PMBTA06

PHIL

NPN

VCB0=80B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>50; fT>100МГц

B

E

C

p1H

PMBTA05

PHIL

NPN

VCB0=60B;IC=500MA; PD=250мВт; h21>50; fT>100МГц

B

E

C

p1J

PMBT2369

PHIL

NPN

VCB0=40B;IC=500MA; PD=250мВт; h21=40...120

B

E

C

p1K

PMBT6428

PHIL

NPN

VCB0=60B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=250...650;

fT=100...700 МГц

B

E

C

p1L

PMBT6429

PHIL

NPN

VCB0=55B;IC=200MA; PD=250мВт; h21=500...1250;

fT=100...700 МГц

B

E

C

p1M

PMBTA13

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=300MA; PD=250мВт; h21>5000; fT>125МГц

B

E

C

p1N

PMBTA12

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=300MA; PD=250мВт; h21>10000; fT>125МГц

B

E

C

p1P

PMBT2222A

PHIL

NPN

VCB0=75B;IC=600MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>300МГц

B

E

C

p1Q

PMBT5088

PHIL

NPN

VCB0=30B;IC=50MA; PD=250мВт; h21=350...1400

B

E

C

P2

BFR92ALT1

MOT

NPN

VCB0=20B;IC=25MA; PD=273мВт; h21>40; fT=4500МГц

B

E

C

P2

SST202

SIL

nFET

VDS=40B; PD=350мВт;IDSS=0.9...4.5MA; gF=1MCM

D

S

G

p2A

PMBT3906

PHIL

PNP

VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=250мВт; h21=100...300; fT>250МГц

B

E

C

p2B

PMBT2907

PHIL

PNP

VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>30; fT>200МГц

B

E

C

p2D

PMBT92

PHIL

PNP

VCB0=-300B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц

B

E

C

p2E

PMBT93

PHIL

PNP

VCB0=-200B;IC=-500MA; PD=250мВт; h21>40; fT>50МГц

B

E

C

p2F

PMBT2907A

PHIL

PNP

VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=250мВт; h21>50; fT>200МГц

B

E

C

 

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Доска объявлений - Радиодетали (микросхемы, транзисторы и т.д.)

Содержание ЦенаСостояниеГород Дата
nopic

Фототранзисторы ( / Радиодетали (микросхемы, транзисторы и т.д.))

Куплю фототранзисторы ФТ2К штук 10-20...

Ровенская обл. с Плоска
19.04.2014
от
8941 просмотров
Альтернативная энергетика

Альтернативная энергетика ( / Радиодетали (микросхемы, транзисторы и т.д.))

Продам элементы для самостоятельного изготовления солнечных батарей. Производство Украина, "Квазар" ...
  25.00 
Новое
Черновцы
01.11.2012
от Boss
14916 просмотров