Google translate

http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/selan_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/BOOT_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/psin_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/KX-TDE200_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/tft_showgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/M1_manualgk-is-182gk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/sh_mb_lgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/shima_sesgk-is-182.jpglink
http://www.newcom.cv.ua/modules/mod_image_show_gk4/cache/GaleryStoll.mag_yarn2lgk-is-182.jpglink
«
»
Loading…

    Наши координаты:

+380 (50) 549 47 19
+380 (372) 51 75 76

пр. Независимости, 74
г. Черновцы,
Украина
58005

 

SMD компоненты. Код s1H ... T2 (корпус SOT23, TO-23)

 SMD компоненты. Код s1H ... T2 (корпус SOT23, TO-23)

 

 

Код

Типономинал

Фирма

Функ

ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

s1H

SMBTA05

SIEM

NPN

VCB0=60B;IC=500MA; PD=330мВт; h21>100; fT=100МГц

B

E

C

s1K

SMBT6428

SIEM

NPN

VCB0=60B;IC=200MA; PD=330мВт; h21=250...650; fT=200МГц

B

E

C

s1L

SMBT6429

SIEM

NPN

VCB0=55B;IC=200MA; PD=330мВт; h21=500...1250; fT=200МГц

B

E

C

s1M

SMBTA13

SIEM

NPN

VCB0=30B;IC=300MA; PD=330мВт; h21>5000; fT>125МГц

B

E

C

s1N

SMBTA14

SIEM

NPN

VCB0=30B;IC=300MA; PD=330мВт; h21>10000; fT>125МГц

B

E

C

s1P

SMBT2222A

SIEM

NPN

VCB0=75B;IC=600MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>300МГц

B

E

C

s1V

SMBT6427

SIEM

NPN

VCB0=40B;IC=500MA; PD=360мВт; h21=20000...200000; fT>130МГц

B

E

C

S2

BBY40

PHIL

BD

VR<30B; IF<20MA; IR<10нА; RS<0.7Ом; C3V=26...32пФ; C25V=4.3...6пФ

A

nc

K

S2

BBY40

ZETEX

BD

VR<28B; C3V=26...32пФ; C3V/C25V=5...6.5

A

nc

K

S2

BBQ31

ZETEX

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=330мВт; h21>20; fT>600МГц

B

E

C

s2A

SMBT3906

SIEM

PNP

VCB0=-40B;IC=-200MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>250МГц

B

E

C

s2B

SMBT2907

SIEM

PNP

VCB0=-40B;IC=-600MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>200МГц

B

E

C

s2C

SMBTA70

SIEM

PNP

VCB0=-40B;IC=-100MA; PD=330мВт; h21=40...400; fT>150МГц

B

E

C

s2D

SMBTA92

SIEM

PNP

VCB0=-300B;IC=-500MA; PD=360мВт; h21>25; fT>50МГц

B

E

C

s2E

SMBTA93

SIEM

PNP

VCB0=-200B;IC=-500MA; PD=360мВт; h21>25; fT>50МГц

B

E

C

s2F

SMBT2907A

SIEM

PNP

VCB0=-60B;IC=-600MA; PD=330мВт; h21=100...300; fT>200МГц

B

E

C

s2G

SMBTA56

SIEM

PNP

VCB0=-80B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>100; fT=100МГц

B

E

C

s2H

SMBTA55

SIEM

PNP

VCB0=-60B;IC=-500MA; PD=330мВт; h21>100; fT=100МГц

B

E

C

s2P

SMBT5086

SIEM

PNP

VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=330мВт; h21=150...500; fT>40МГц

B

E

C

s2V

SMBTA64

SIEM

PNP

VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=360мВт; h21>10000; fT>125МГц

B

E

C

s2Q

SMBT5087

SIEM

PNP

VCB0=-50B;IC=-50MA; PD=330мВт; h21=250...800; fT>40МГц

B

E

C

s2U

SMBTA63

SIEM

PNP

VCB0=-30B;IC=-500MA; PD=360мВт; h21>5000; fT>125МГц

B

E

C

S3

BBY51

SIEM

2xBD

VR<7B; IF<20MA; IR<0.01мкА; C1V=4.5...6.1пФ; C1V/C4V=1.55...2.2

A1

A2

K1K2

S3

BBQ31R

ZETEX

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=330мВт; h21>20; fT>600МГц

B

E

C

S4

SST174

SIL

nFET

VDS=-30B; PD=350мВт; IDSS=-20...135мA; gF=4.5MCM;

D

S

G

S4

BBQ31A

ZETEX

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=330мВт; h21>100; fT>600МГц

B

E

C

S5

SST175

SIL

nFET

VDS=-30B; PD=350мВт; IDSS=7...70мA; gF=4.5MCM;

D

S

G

S5

BBQ31AR

ZETEX

NPN

VCB0=30B;IC=100MA; PD=330мВт; h21>100; fT>600МГц

B

E

C

S50

BS850

GS

pFET

VDSS=-60B; ID=-250мA; PD=310мВт;  VGS<20B

G

S

D

s56

ZHCS506

ZETEX

SHD

VR<60B; IF<0.5MA;VF(IF =0.5A)<0.63B; IR<40мкА; CD<20пФ; tRR<10нc

A

nc

K

s5A

SMBD6050

SIEM

DI

VR<70B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.1B; IR<0.1мкА; CD<2.5пФ; tRR<10нc

A

nc

K

s5B

SMBD6100

SIEM

2xDI

VR<70B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.1B; IR<0.1мкА; CD<2.5пФ; tRR<15нc

A1

A2

K1K2

s5C

SMBD7000

SIEM

2xDI

VR<100B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.1B; IR<0.5мкА; CD<2.0пФ; tRR<15нc

A1

K2

K1A2

s5D

SMBD914

SIEM

DI

VR<70B; IF<250MA;VF(IF =100MA)<1.0B; IR<0.025мкА; CD<2.0пФ; tRR<4нc

A

nc

K

S5s

BBY52

SIEM

2xBD

VR<7B; IF<20MA; IR<0.01мкА; C1V=1.1...2.5пФ; C1V/C4V=1.1...2.1

A1

A2

K1K2

S6

SST176

SIL

pFET

VDS=-30B; PD=350мВт; IDSS=2...350мA; gF=4.5MCM;

D

S

G

S7

SST177

SIL

pFET

VDS=-30B; PD=350мВт; IDSS=-1.6...20мA; gF=4.5MCM;

D

S

G

S70

BS870

GS

nFET

VDSS=60B; ID=250мA; PD=310мВт; VGS<20B

G

S

D

S72

2N7002

VISH

nFET

VDSS=60B; ID=115мA; PD=200мВт; VGS<2.5B; CICC=60пФ

G

S

D

S76

ZHCS756

ZETEX

SHD

VR<60B; IF<0.75A;VF(IF =0.75A)<0.61B; IR<100мкА; CD<17пФ; tRR<12нc

A

nc

K

S7s

BBY53

SIEM

2xBD

VR<6B; IF<20MA; IR<0.01мкА; C1V=4.8...5.8пФ; C2V/C3V=1.8...2.8

A1

A2

K1K2

S8

BAT15-04

SIEM

SHD

VR<4B; IF<110MA;VF(IF =10MA)<0.48B; CD<0.35пФ

A

nc

K

SA

BSS123

ZETEX

nMOS

VDS=100B; ID=170MA; PD=330мВт; gF=90MCM; RDS(ON)=14OM

G

S

D

sA2

SMBD2836

SIEM

2xDI

VR<50B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.2B; IR<0.1мкА; CD<4пФ; tRR<6нc

K1

K2

A1A2

sA3

SMBD2835

SIEM

2xDI

VR<30B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.2B; IR<0.1мкА; CD<4пФ; tRR<6нc

K1

K2

A1A2

sA4

SMBD2838

SIEM

2xDI

VR<50B; IF<200MA;VF(IF =100MA)<1.2B; IR<0.1мкА; CD<4пФ; tRR<6нc

A1

A2

K1K2

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Доска объявлений - Радиодетали (микросхемы, транзисторы и т.д.)

Содержание ЦенаСостояниеГород Дата
nopic

Фототранзисторы ( / Радиодетали (микросхемы, транзисторы и т.д.))

Куплю фототранзисторы ФТ2К штук 10-20...

Ровенская обл. с Плоска
19.04.2014
от
8941 просмотров
Альтернативная энергетика

Альтернативная энергетика ( / Радиодетали (микросхемы, транзисторы и т.д.))

Продам элементы для самостоятельного изготовления солнечных батарей. Производство Украина, "Квазар" ...
  25.00 
Новое
Черновцы
01.11.2012
от Boss
14916 просмотров