Код

Типономинал

Фирма

Функ

ция

Особенности

Цоколевка

1

2

3

AS

BAT18-05

SIEM

2xCPIN

V_R<35B; I_F<100_MA;V_F(I_F =100_MA)<1.2B; I_R<0.02мкА; C_D<1.0пФ;

A1

A2

K1K2

ASG

KTA1504

KEC

PNP

V_CB0=-50B;I_C=-150_MA; P_D=150мВт; h₂₁=200…400; f_T>80МГц

B

E

C

ASO

KTA1504

KEC

PNP

V_CB0=-50B;I_C=-150_MA; P_D=150мВт; h₂₁=70…140; f_T>80МГц

B

E

C

ASY

KTA1504

KEC

PNP

V_CB0=-50B;I_C=-150_MA; P_D=150мВт; h₂₁=120…240; f_T>80МГц

B

E

C

AT

BAT18-06

SIEM

2xCPIN

V_R<35B; I_F<100_MA;V_F(I_F =100_MA)<1.2B; I_R<0.02мкА; C_D<1.0пФ;

K1

K2

A1A2

AU

BAT18-04

SIEM

2xCPIN

V_R<35B; I_F<100_MA;V_F(I_F =100_MA)<1.2B; I_R<0.02мкА; C_D<1.0пФ;

A1

K2

K1A2

AW

BCX70GR

ZETEX

NPN

V_CB0=45B;I_C=200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=120…220; f_T>250МГц

B

E

C

AX

BCX70JR

ZETEX

NPN

V_CB0=45B;I_C=200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=250…460; f_T>250МГц

B

E

C

AZO

KTA1505

KEC

PNP

V_CB0=-35B;I_C=-500_MA; P_D=150мВт; h₂₁=70…140; f_T>200МГц

B

E

C

AZY

KTA1505

KEC

PNP

V_CB0=-35B;I_C=-500_MA; P_D=150мВт; h₂₁=120…240; f_T>200МГц

B

E

C

B0

HSMS-2810

HP

SHD

V_BR<20B;V_F(I_F =35_MA)<1.0B; I_R(V_R=15B)<200_HА; C_D<1.2пФ;

A

nc

K

B0

SST5460

SIL

pFET

V_DS=-40B; P_D=350_MB_Т;I_DSS=1...5_MA; g_F=1мСм

D

S

G

B1

SST5461

SIL

pFET

V_DS=-40B; P_D=350_MB_Т;I_DSS=2...9_MA; g_F=1.5мСм

D

S

G

B10

KSC2715

SAMS

NPN

V_CB0=35B;I_C=50_MA; P_D=150мВт; h₂₁=70…140; f_T>150МГц

B

E

C

B1R

KSC2715

SAMS

NPN

V_CB0=35B;I_C=50_MA; P_D=150мВт; h₂₁=40…80; f_T>150МГц

B

E

C

B1Y

KSC2715

SAMS

NPN

V_CB0=35B;I_C=50_MA; P_D=150мВт; h₂₁=120…240; f_T>150МГц

B

E

C

B2

HSMS-2812

HP

2xSHD

V_BR>20B; V_F(I_F =35_MA)<1.0B; I_R(V_R =15B)<200нА; C_D<1.2пФ;

A1

K2

K1A2

B2

BSV52LT1

MOT

NPN

V_CB0=20B;I_C=100_MA; P_D=300мВт; h₂₁=40…120; f_T>400МГц

B

E

C

B2

SST5462

SIL

pFET

V_DS=-40B; P_D=350_MB_Т;I_DSS=4...16_MA; g_F=2мСм

D

S

G

B2

BSV52

ZETEX

NPN

V_CB0=20B;I_C=100_MA; P_D=300мВт; h₂₁=40…120; f_T>500МГц

B

E

C

B26

BF570

PHIL

NPN

V_CB0=40B;I_C=100_MA; P_D=250мВт; h₂₁>40; f_T>490МГц

B

E

C

B2p

BSV52

PHIL

NPN

V_CB0=20B;I_C=100_MA; P_D=250мВт; h₂₁=40…120; f_T>400МГц

B

E

C

B3

HSMS-2813

HP

2xSHD

V_BR>20B; V_F(I_F =35_MA)<1.0B; I_R(V_R =15B)<200нА; C_D<1.2пФ;

K1

K2

A1A2

B31

IDB31

GS

BTD

V_B0=20...34B;I_TRM=2A; P_D=150мВт

x

x

n.c

B4

HSMS-2814

HP

2xSHD

V_BR>20B; V_F(I_F =35_MA)<1.0B; I_R(V_R =15B)<200нА; C_D<1.2пФ;

A1

A2

K1K2

B4

BSV52R

PHIL

NPN

V_CB0=12B;I_C=200_MA; P_D=250мВт; h₂₁=40; f_T>400МГц

K1

K2

A1A2

B4

BSV52R

ZETEX

NPN

V_CB0=20B;I_C=100_MA; P_D=330мВт; h₂₁=40…120; f_T>500МГц

B

E

C

BA

BCW61A

ALLEG

PNP

V_CB0=-32B;I_CB0<20нA; h₂₁=120…220;V_CE(sat)<0.25B

B

E

C

BA

BCW61A

CDIL

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=120…220; f_T>180МГц

B

E

C

BA

BCW61A

SAMS

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=350мВт; h₂₁=120…220

B

E

C

BA

BCW61A

ZETEX

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=120…220; f_T>180МГц

B

E

C

BAp

BCW61A

PHIL

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=250мВт; h₂₁=120…220; f_T>100МГц

B

E

C

BAs

BCW61A

SIEM

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=120…220; f_T=250МГц

B

E

C

BB

BCW61B

ALLEG

PNP

V_CB0=-32B;I_CB0<20нA; h₂₁=180…310;V_CE(sat)<0.25B

B

E

C

BB

BCW61B

CDIL

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=180…310; f_T>180МГц

B

E

C

BB

BCW61B

SAMS

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-100_MA; P_D=350мВт; h₂₁=180…310

B

E

C

BB

BCW61B

ZETEX

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=330мВт; h₂₁=180…310; f_T>180МГц

B

E

C

BBp

BCW61B

PHIL

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-200_MA; P_D=250мВт; h₂₁=180…310; f_T>100МГц

B

E

C

BBs

BCW61B

SIEM

PNP

V_CB0=-32B;I_C=-100_MA; P_D=330мВт; h₂₁=180…310; f_T=250МГц

B

E

C

BC

BCW61C

ALLEG

PNP

V_CB0=-32B;I_CB0<20нA; h₂₁=250…460;V_CE(sat)<0.25B

B

E

C